2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大看點(diǎn)
2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大看點(diǎn)
作者：張心怡 來(lái)源：中國(guó)電子報(bào)、電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
編者按：經(jīng)歷了2024年的蓄勢(shì)與回暖，全球半導(dǎo)體業(yè)界對(duì)2025年市場(chǎng)表現(xiàn)呈樂(lè)觀預(yù)期。WSTS預(yù)測(cè)，2024年全球銷(xiāo)售額將同比增長(zhǎng)19.0%，達(dá)到6269億美元。2025年，全球銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)達(dá)到6972億美元，同比增長(zhǎng)11.2%。伴隨市場(chǎng)動(dòng)能持續(xù)復(fù)蘇，十大半導(dǎo)體技術(shù)趨勢(shì)蓄勢(shì)待發(fā)。
01、2nm及以下工藝量產(chǎn)
2025年，是先進(jìn)制程代工廠(chǎng)交付2nm及以下工藝的時(shí)間點(diǎn)。臺(tái)積電2nm工藝預(yù)計(jì)2025年下半年量產(chǎn)，這也是臺(tái)積電從FinFet架構(gòu)轉(zhuǎn)向GAA（全環(huán)繞柵極）架構(gòu)的第一個(gè)制程節(jié)點(diǎn)，將導(dǎo)入納米片晶體管技術(shù)。三星計(jì)劃2025年量產(chǎn)2nm制程SF2，并將在2025—2027年陸續(xù)推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等不同版本，分別面向移動(dòng)、高性能計(jì)算及AI（SF2X和SF2Z都面向這一領(lǐng)域，但SF2Z采用了背面供電技術(shù)）和汽車(chē)領(lǐng)域。英特爾的Intel 18A（1.8nm）也將在2025年量產(chǎn)，將采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)和PowerVia背面供電技術(shù)，采用Intel 18A的首家外部客戶(hù)預(yù)計(jì)于2025年上半年完成流片。
02、HBM4最快下半年出貨
HBM的迭代和制造已經(jīng)開(kāi)啟競(jìng)速模式。有消息稱(chēng)，為了配合英偉達(dá)的新品發(fā)布節(jié)奏，SK海力士原計(jì)劃2026年量產(chǎn)的HBM4，將提前至2025年下半年量產(chǎn)，采用臺(tái)積電3nm制程。三星也被傳出計(jì)劃在2025年年底完成HBM4開(kāi)發(fā)后立即開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，目標(biāo)客戶(hù)包括微軟和Meta。根據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布的HBM4初步規(guī)范，HBM4提高了單個(gè)堆棧內(nèi)的層數(shù)，從HBM3的最多12層增加到了最多16層，將支持每個(gè)堆棧2048位接口，數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到6.4GT/s。
03、先進(jìn)封裝產(chǎn)能持續(xù)放量
2024年，先進(jìn)封裝景氣復(fù)蘇，引領(lǐng)封測(cè)產(chǎn)業(yè)向好。2025年，先進(jìn)封裝市場(chǎng)需求有望持續(xù)回暖，OSAT（封裝測(cè)試代工廠(chǎng)商）及頭部晶圓廠(chǎng)將進(jìn)一步擴(kuò)充先進(jìn)封裝產(chǎn)能，并推動(dòng)技術(shù)升級(jí)。臺(tái)積電在加速CoWoS產(chǎn)能擴(kuò)充的同時(shí)，將在2025年至2026年期間，將CoWoS的光罩尺寸從2023年的3.3倍提升至5.5倍，基板面積突破100×100mm，最多可容納12個(gè)HBM4。長(zhǎng)電科技上海臨港車(chē)規(guī)級(jí)芯片成品制造基地計(jì)劃于2025年建成并投入使用。通富超威蘇州新基地——通富超威（蘇州）微電子有限公司項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)2025年1月實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，從事FCBGA高端先進(jìn)封測(cè)。華天科技的江蘇盤(pán)古半導(dǎo)體板級(jí)封測(cè)項(xiàng)目將于2025年第一季度完成工藝設(shè)備搬入，并實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目投產(chǎn)，致力于推動(dòng)板級(jí)扇出封裝技術(shù)的大規(guī)模量產(chǎn)。
04、AI處理器出貨繼續(xù)保持強(qiáng)勁
2025年，一批AI芯片新品將發(fā)布或上市，在架構(gòu)、制程、散熱方式等方面迭代更新，以期提供更強(qiáng)算力和能效。英特爾將在2025年推出基于Intel 18A制程的AI PC處理器Panther Lake和數(shù)據(jù)中心處理器Clearwater Forest。英偉達(dá)預(yù)計(jì)2025年推出下一代“Blackwell Ultra”GB300，此前發(fā)布的GB200 NVL4超級(jí)芯片將于2025年下半年供應(yīng)。AMD將在2025年推出下一代AMD CDNA 4架構(gòu)，相比基于CDNA 3架構(gòu)的Instinct加速器，AI推理性能預(yù)計(jì)提升35倍。AI處理器的出貨動(dòng)能將拉動(dòng)存儲(chǔ)、封裝等環(huán)節(jié)的成長(zhǎng)。
05、高階智駕芯片進(jìn)入上車(chē)窗口期
2025年被諸多車(chē)規(guī)芯片廠(chǎng)商視為高階智駕的決賽點(diǎn)、量產(chǎn)上車(chē)的窗口期。地平線(xiàn)Horizon SuperDrive全場(chǎng)景智能駕駛解決方案預(yù)計(jì)2025年第三季度交付首款量產(chǎn)合作車(chē)型，疊加征程6旗艦版“決勝2025年這一量產(chǎn)關(guān)鍵窗口期”。黑芝麻武當(dāng)系列預(yù)計(jì)2025年上車(chē)量產(chǎn)，提供自動(dòng)駕駛、智能座艙、車(chē)身控制和其他計(jì)算功能跨域融合能力。芯擎科技自動(dòng)駕駛芯片“星辰一號(hào)”計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。國(guó)際企業(yè)方面，高通于2024年10月發(fā)布的Snapdragon Ride至尊版平臺(tái)將于2025年出樣。此外，基于前代Snapdragon Ride平臺(tái)，高通已與十多家中國(guó)合作伙伴打造了智能駕駛和艙駕融合解決方案，也將在2025年繼續(xù)上車(chē)。英特爾首款銳炫車(chē)載獨(dú)立顯卡將于2025年量產(chǎn)，滿(mǎn)足汽車(chē)座艙對(duì)算力不斷增長(zhǎng)的需求。
06、量子處理器規(guī)模上量
聯(lián)合國(guó)宣布2025年為“量子科學(xué)與技術(shù)之年”。在2024年年末，谷歌Willow、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)“祖沖之三號(hào)”等最新量子處理器接連亮相，在量子比特?cái)?shù)、量子糾錯(cuò)、相干時(shí)間、量子計(jì)算優(yōu)越性等方面取得突破。2025年，業(yè)界有望迎來(lái)更大規(guī)模的量子處理器及計(jì)算系統(tǒng)。IBM將在2025年發(fā)布包含1386量子比特、具有量子通信鏈路的多芯片處理器“Kookaburra”。作為演示，IBM會(huì)將三個(gè)Kookaburra芯片接入一個(gè)包含4158量子比特的系統(tǒng)中。此外，2025年，IBM將通過(guò)集成模塊化處理器、中間件和量子通信來(lái)展示第一臺(tái)以量子為中心的超級(jí)計(jì)算機(jī)，并進(jìn)一步提升量子電路的質(zhì)量、執(zhí)行、速度和并行化。
07、硅光芯片制造技術(shù)走向成熟
隨著AI服務(wù)器對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率的要求急劇提升，融合了硅芯片工藝流程和光電子高速率、高能效優(yōu)勢(shì)的硅光芯片備受關(guān)注。2025年，硅光芯片的制造工藝走向成熟。湖北省人民政府在《加快“世界光谷”建設(shè)行動(dòng)計(jì)劃》中提到，到2025年，完成12英寸基礎(chǔ)硅光流片工藝開(kāi)發(fā)，形成國(guó)際領(lǐng)先的硅光晶圓代工和生產(chǎn)制造能力。《廣東省加快推動(dòng)光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動(dòng)方案（2024—2030年）》提到，支持光芯片相關(guān)部件和工藝的研發(fā)及優(yōu)化，支持硅光集成、異質(zhì)集成、磊晶生長(zhǎng)和外延工藝、制造工藝等光芯片相關(guān)制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化。在國(guó)際企業(yè)方面，英偉達(dá)在2024年12月的IEDM 2024上展示了與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)的硅光子原型。臺(tái)積電將在2025年實(shí)現(xiàn)適用于可插拔光模塊的1.6T光引擎，并完成小型可插拔產(chǎn)品的COUPE（緊湊型通用光子引擎）驗(yàn)證。據(jù)臺(tái)積電介紹，COUPE技術(shù)使用SoIC-X芯片堆疊技術(shù)，將電子裸片堆疊在光子裸片上，從而在die-to-die（裸片與裸片）接口提供更低電阻和更高能效。
08、AI加速與半導(dǎo)體生產(chǎn)融合
AI正在加速與半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造等全流程融合。2024年3月，新思科技將AI驅(qū)動(dòng)型EDA全套技術(shù)棧部署于英偉達(dá)GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片平臺(tái)，將在芯片設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、仿真及制造各環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)最高15倍的效能提升。2024年7月，Aitomatic發(fā)布首個(gè)為半導(dǎo)體行業(yè)定制的開(kāi)源大模型SemiKong，宣稱(chēng)能縮短芯片設(shè)計(jì)的上市時(shí)間、提升首次流片良率，并加速工程師的學(xué)習(xí)曲線(xiàn)。2025年，AI有望輔助或者代替EDA的擬合類(lèi)算法和工作，包括Corner預(yù)測(cè)、數(shù)據(jù)擬合、規(guī)律學(xué)習(xí)等。在制造方面，臺(tái)積電有望在2nm及以下制程開(kāi)發(fā)中使用英偉達(dá)計(jì)算光刻平臺(tái)cuLitho。該平臺(tái)提供的加速計(jì)算以及生成式AI，使晶圓廠(chǎng)能夠騰出可用的計(jì)算能力和工程帶寬，以便在開(kāi)發(fā)2nm及更先進(jìn)的新技術(shù)時(shí)設(shè)計(jì)出更多新穎的解決方案。
09、RISC-V開(kāi)啟高性能產(chǎn)品化
2024年，RISC-V進(jìn)一步向高性能芯片領(lǐng)域滲透。中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所與北京開(kāi)源芯片研究院發(fā)布第三代“香山”開(kāi)源高性能RISC-V處理器核，性能水平進(jìn)入全球第一梯隊(duì)。同時(shí)，面向人工智能、數(shù)據(jù)中心、自動(dòng)駕駛、移動(dòng)終端等高性能計(jì)算領(lǐng)域，芯來(lái)科技、奕斯偉、賽昉科技、進(jìn)迭時(shí)空等一批國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)布了IP，工具鏈，軟件平臺(tái)，AI PC芯片、AI MCU、多媒體處理器等芯片，以及開(kāi)發(fā)板等產(chǎn)品，并在筆記本電腦、云計(jì)算以及行業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域形成一批案例。RISC–V主要發(fā)明人Krste Asanovi預(yù)測(cè)，2025年RISC-V內(nèi)核數(shù)將增至800億顆。2025年也被視為中國(guó)RISC-V產(chǎn)業(yè)承上啟下、打造高性能標(biāo)桿產(chǎn)品的關(guān)鍵一年，加速打造標(biāo)志性產(chǎn)品、深化生態(tài)建設(shè)并推動(dòng)RISC-V+AI融合，成為產(chǎn)業(yè)共識(shí)。
10、碳化硅進(jìn)入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換階段
在2024年，碳化硅產(chǎn)業(yè)加快了從6英寸向8英寸過(guò)渡的步伐。2025年，碳化硅產(chǎn)業(yè)將正式進(jìn)入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換階段。意法半導(dǎo)體在中國(guó)設(shè)立的合資工廠(chǎng)項(xiàng)目——安意法半導(dǎo)體碳化硅器件工廠(chǎng)預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)。芯聯(lián)集成8英寸碳化硅產(chǎn)線(xiàn)計(jì)劃2025年進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)。羅姆福岡筑后工廠(chǎng)計(jì)劃于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。Resonac計(jì)劃于2025年開(kāi)始規(guī)模生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。安森美將于2025年投產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓。
