Cmos優(yōu)勢物料推選八：CMD130N85A
CMD130N85A是Cmos通過不斷優(yōu)化柵極氧化層并多極分割柵極溝槽得到的后優(yōu)化溝槽工藝制造而成，典型的特點是，具有更優(yōu)秀的開關響應時效性，極低的RDSON,低FOM和更優(yōu)秀的單元一致性。無論是MOS管自身的轉換效率還是能耗都得到優(yōu)化，成為Cmos綠色發(fā)展的又一重要產品。
封裝形式
核心優(yōu)勢
CMD130N85A是一款擊穿電壓BVDSS=85V，采用柵極被分割改進型溝槽工藝制造的場效應晶體管，在環(huán)境溫度為25℃條件下，流過MOS管的漏源電流可達到120A，具有卓越的功率輸送能力。提供TO-252、TO-251兩種封裝，封裝如圖所示。這兩種封裝兼具優(yōu)秀的散熱設計,保障了其在大電流高功率飽和導通工作條件下的熱管理能力。卓越的功率傳遞能力和優(yōu)秀的散熱設計使其在無刷電機，電源DC輸出模塊，太陽能蓄電池充放電保護控制器中被廣泛應用，性能可靠穩(wěn)定。
低優(yōu)值系數：降低能耗，提升傳遞效率
優(yōu)值系數FOM=QG×RDSON 可以定性表達MOS管的轉化效率。由表達式右端的QG和RDSON兩項參數可得，FOM是可以反映MOS管自身功率損耗與開關效率的。作為高頻次開關，自身電能損耗和開關響應速度是其性能的關鍵特征。尤其是電池供電電路，低功耗的元器件則更有實際意義。CMD130N85A飽和導通內阻RDSON僅為4.3MΩ,低阻值，無論是靜態(tài)待機狀態(tài)還是動態(tài)工作過程均有效降低了電路中電能損耗和提高了電能的轉換效率。
Cmos半導體是優(yōu)質的國產半導體企業(yè)，生產工藝齊全、設備先進，擁有豐富的MOSFET和其他半導體產品。產品分布廣泛，具有出色的性能和超高的經濟性。
Cmos產品有：MOS場效應管，晶閘管，IGBT，三端穩(wěn)壓芯片，三極管，二極管等。
Cmos產品應用
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