高魯棒性的理想選擇CMP107N20
高魯棒性的理想選擇CMP107N20
隨著集成電路和互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，低功耗、高性能已經(jīng)逐漸成為3C消費類電子以及3C小家電主要追求的能效目標。CMP107N20是采用Cmos自己優(yōu)化的成熟制造工藝生產(chǎn)的一款場效應晶體管。特點是具有卓越FOM優(yōu)值系數(shù)，極低的飽和導通內(nèi)阻RDSon，超高的開關頻率使得CMP107N20在電機控制，電池管理，UPS不間斷電源供應，逆變轉(zhuǎn)換器等領域具有更大的市場價值。
封裝形式
基本信息
CMP107N20是采用Cmos柵極多級分割優(yōu)化溝槽工藝研發(fā)的N溝道金屬氧化物半導體場效應管，設計理念追求高能效、綠色和可持續(xù)發(fā)展。
綠色設計理念
CMP107N20是一款N溝道場效應晶體管，擊穿電壓BVDSS=200V，采用Cmos自己研發(fā)的優(yōu)化溝槽工藝制造。常溫條件下，源漏持續(xù)電流可達105A，具有卓越的能效比。CMP107N20提供了TO-220、TO-263、TO-262、TO-220F四種常規(guī)封裝，具有卓越的散熱能力,保障了在高功率輸出下的熱管理平衡能力。CMP107N20具有卓越的優(yōu)值系數(shù)FOM=QG×RDSON ，F(xiàn)OM綜合反映了場效應晶體管的轉(zhuǎn)換效率。高效的轉(zhuǎn)換效率，不僅提高了CMP107N20自身的應用領域，而且符合綠色可持續(xù)發(fā)展的需要,還為其拓展了廣泛的應用鄰域。
降本增效
Product Data Sheet
場效應管以其超高頻次（frequence可達兆赫茲以上）的開關速度和極低的能耗，通信，工業(yè)控制，3C產(chǎn)品，電動車和智能Ai泛領域得到大量應用。能量損耗和開關響應速度是保證其能效比的關鍵要素。CMP107N20在常溫環(huán)境下，飽和導通內(nèi)阻10毫歐，極低的飽和導通阻值，使其轉(zhuǎn)換效率明顯提高。在多串MBS，UPS，無人機中具有很高的應用價值。
場效應半導體是國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)半導體企業(yè)，具有豐富的晶體管開發(fā)經(jīng)驗，擁有核心的產(chǎn)品研發(fā)能力,相關專利申請達四十余項；具有完備的半導體后道工藝生產(chǎn)設備，目前已經(jīng)擁有包括二極管，三極管，IGBT 晶閘管在內(nèi)的產(chǎn)品超過1500余個型號。開發(fā)產(chǎn)品面向鄰域廣泛，使用性能安全穩(wěn)定，有較強的品牌影響力和市場份額。
Cmos晶體管產(chǎn)品有：MOS場效應管，晶閘管，IGBT功率模塊，78系列穩(wěn)壓芯片，各種三極管和二極管等。
Cmos產(chǎn)品應用領域如下表所示：
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