CMD65R380Q：優(yōu)秀開(kāi)關(guān)電源MOS
CMD65R380Q：優(yōu)秀開(kāi)關(guān)電源MOS
CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS(ON)和極低門(mén)電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，提供高效率。為設(shè)計(jì)者提供低EMI和低開(kāi)關(guān)損耗的優(yōu)勢(shì)，非常適合UPS電源、PFC電源，及各類(lèi)開(kāi)關(guān)切換模式電源。
卓越的電氣特性
CMD65R380Q的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMD65R380Q的耐壓（BVDSS）為650V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）為11A。
雪崩能量：CMD65R380Q采用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，100%雪崩能量測(cè)試，單次雪崩能量EAS為202mJ。
低EMI：CMD65R380Q采用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，應(yīng)用時(shí)具有低EMI、易通過(guò)EMC測(cè)試的特點(diǎn)。
低熱阻：CMD65R380Q采用TO-252封裝，具有良好的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為1.5℃/W，有很好的散熱能力。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMD65R380Q的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大為0.38Ω。低導(dǎo)通電阻能降低導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高電路的能效，使得在開(kāi)關(guān)電源電路應(yīng)用中效率更高。
低開(kāi)關(guān)損耗：低QG、較小的CISS，使其具有優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，較小的開(kāi)關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMD65R380Q 由于其優(yōu)異的特性，適用于多種開(kāi)關(guān)切換電源，MOS管的低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接決定管子工作時(shí)的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結(jié)電容，使管子有較好的開(kāi)關(guān)特性及低開(kāi)關(guān)損耗。CMD65R380Q表現(xiàn)出色，能夠很好地滿足電路需求。
通過(guò)優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMD65R380Q中，使其成為各種開(kāi)關(guān)切換類(lèi)電源應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)秀的MOS。
