CMSA010N04是Cmos自己研發的柵極多層分割槽工藝制造的一款分離半導體器件。
CMP130N85A是采用Cmos成熟的柵極多層分割槽工藝制造的一款金屬氧化物功率半導體分離器件。
CMD8447B采用Cmos先進的溝槽技術和設計，提供優秀的RDS（ON）與低門電荷，具有低導通損耗和低開關損耗，它可以高效用于多種應用電路中，包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機驅動、LED控制器等。
CMSA012N04L是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術和設計，提供優秀的RDS（ON），采用DFN-8 5x6封裝，能夠減小PCB板尺寸和提高空間利用率，是緊湊型DC-DC電源、高頻切換電源、高能效電源、服務器和通用應用的同步整流設備的優秀MOS。
CMD079N10是采用Cmos半導體成熟工藝開發的一款綜合性能優異的MOSFET,用在電源產品中的同步整流模塊效果十分理想。
