CMD5941采用Cmos先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）與低門(mén)電荷，具有低導(dǎo)通損耗和低開(kāi)關(guān)損耗，它可以高效用于多種應(yīng)用電路中，包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。
CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS(ON)和極低門(mén)電荷。
CMP107N20是采用Cmos柵極多級(jí)分割優(yōu)化溝槽工藝研發(fā)的N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，設(shè)計(jì)理念追求高能效、綠色和可持續(xù)發(fā)展。
CMD031N03L是采用Cmos自己優(yōu)化的柵極被分割改進(jìn)型溝槽工藝制造的一款金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
CMD170P03A是Cmos通過(guò)控制載流子溝道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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