CMSC1653是一款采用場效應半導體先進溝槽工藝開發的N溝道型MOSFET產品，其最大特點是具有卓越的優值系數（FOM）。
CMH50N20是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的平面條紋DMOS技術和設計，提供優秀的RDS（ON），抗沖擊能力強，廣泛應用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等電路中。
CMSA010N04是Cmos自己研發的柵極多層分割槽工藝制造的一款分離半導體器件。
CMD079N10是采用Cmos半導體成熟工藝開發的一款綜合性能優異的MOSFET,用在電源產品中的同步整流模塊效果十分理想。
CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，提供優秀的RDS(ON)和極低門電荷。
